Методика расчета насыщенного усилителя класса F
Предложена методика расчета насыщенного усилителя класса F. Найдены значения углов отсечки, при которых может быть реализован данный усилитель. Показано, что насыщенный усилитель класса F реализуем в большем диапазоне углов отсечки, чем ненасыщенный усилитель класса F.
Авторы: А. П. Ефимович
Направление: Проектирование и технология радиоэлектронных средств
Ключевые слова: Усилитель класса F, стоковый КПД, выходная мощность, насыщение транзистора
Открыть полный текст статьи