Исследование температурных зависимостей вольт-амперных характеристик тонкопленочных конденсаторов на основе твердых растворов титаната бария стронция
Методом реактивного высокочастотного катодного распыления синтезированы пленки Ba0.5Sr0.5TiO3 (BST) на подложках из сапфира и гадолиний-галлиевого граната. Проведен анализ вольт-амперных характеристик в температурном диапазоне с целью выяснения природы токов утечки в синтезированных диэлектриках. Установлено, что формирование токов утечки в указанных пленках происходит благодаря процессу переноса носителей заряда по типу эмиссии Шотки. Вольт-амперным методом определен ряд фундаментальных величин пленок BST: высота барьера Шотки; эффективная масса носителей заряда и динамическая диэлектрическая проницаемость. Установлено влияние материала подложки на электрофизические свойства пленок BST.
Авторы: В. В. Плотников, П. Ю. Белявский
Направление: Проектирование и технология радиоэлектронных средств
Ключевые слова: Явления переноса, диэлектрик, механизмы проводимости, эмиссия Шотки
Открыть полный текст статьи