Селективные фоточувствительные структуры на основе барьера Шотки Au–AlGaN
Созданы и исследованы селективные фоточувствительные структуры на основе барьера Шотки Au–AlGaN для ультрафиолетового диапазона спектра. Показаны методы управления спектром фоточувствительности за счет применения эффектов широкозонного окна и надбарьерного переноса в структурах Au–AlGaN. Получены фотодиоды с полушириной спектра фото-чувствительности 5…6 нм для длин волн 351…373 нм и чувствительностью до 140 мА/Вт.
Авторы: С. А. Тарасов, И. А. Ламкин, А. С. Евсеенков, И. И. Михайлов, А. В. Соломонов
Направление: Микро- и наноэлектроника
Ключевые слова: Фотодиод, AlGaN, ультрафиолетовая область, барьер Шотки
Открыть полный текст статьи