Доменный эпитаксиальный рост сегнетоэлектрических пленок титаната бария–стронция на сапфире
Представлена модель эпитаксиального роста кристаллических многокомпонентных пленок на монокристаллических подложках с доменным соответствием на примере твердого раствора титаната бария–стронция на подложках сапфира (r-срез). Доменный эпитаксиальный рост предполагает согласование плоскостей решетки пленки и подложки, имеющих схожую структуру, путем сопоставления доменов, кратных целому числу межплоскостных расстояний. Варьирование компонентного состава твердого раствора позволяет изменять размер домена в диапазоне, достаточном для снижения рассогласования решеток титаната бария–стронция и сапфира до значения, достаточного для эпитаксиального роста. Таким образом, можно спроектировать эпитаксиальный рост пленок различных твердых растворов на монокристаллических подложках.
Авторы: А. А. Одинец, А. В. Тумаркин
Направление: Электроника СВЧ
Ключевые слова: Сегнетоэлектрические пленки, титанат бария–стронция
Открыть полный текст статьи