Компьютерное моделирование процессов роста тонких пленок при термическом вакуумном напылении
Рассмотрены различные механизмы процесса роста тонких пленок на атомном уровне с учетом различных факторов при термическом вакуумном напылении. Продемонстрировано влияние этих факторов на качество получаемых пленок. При промежуточном механизме процесса роста тонких пленок для определения номера частицы применен метод Монте-Карло, для определения направления движения выбранной частицы – квазиньютоновский решетчатый метод. Проанализирован процесс фрактального роста с учетом всех факторов. Рассмотрены возможности управления процессом роста тонких пленок.
Авторы: Чу Чонг Шы
Направление: Проектирование и технология радиоэлектронных средств
Ключевые слова: Компьютерное моделирование, рост тонких пленок, термическое вакуумное напыление, метод Монте-Карло, парный взаимный потенциал Леннарда–Джонсона, фрактальная структура
Открыть полный текст статьи