Исследование параметров, влияющих на пробивное напряжение биполярного транзистора со статической индукцией
Исследуется структура биполярного транзистора со статической индукцией (БСИТ). Рассмотрены конструктивно-технологические параметры, влияющие на пробивное напряжение ячейки БСИТ. Исследованы и получены зависимости пробивного напряжения от геометрии прибора.
Авторы: Т.А.Исмаилов, А.Р.Шахмаева, Б.А.Шангереева
Направление: Проектирование и технология радиоэлектронных средств
Ключевые слова: Транзистор, прибор, технология, параметры, характеристика, структура, напряжение, затвор, исток
Открыть полный текст статьи