Оптимизация режима работы твердотельного фотоприемника в ближнем инфракрасном участке спектра
Показано теоретически и подтверждено экспериментально увеличение квантовой эффективности кремниевых фотоприемников в ближнем инфракрасном участке спектра 900...1100 нм при повышении температуры кристалла. Увеличение вызвано уменьшением ширины запрещенной зоны кремния при повышении температуры кристалла от 50 до 130 °С. Экспериментальное исследование темновых токов показало, что для КМОП-сенсоров фирмы "Sony" их значение аномально мало вплоть до температуры 130 °С. Таким образом, возможна оптимизация температуры кристалла фотоприемника по критерию отношения "сигнал/шум". Установлено, что при повышении температуры кристалла до 80…120 °С отношение "сигнал/шум" на длине волны 1064 нм увеличивается в 2–3 раза.
Авторы: Д. А. Белоус
Направление: Телевидение и обработка изображений
Ключевые слова: КМОП-сенсор, инфракрасный участок спектра, квантовая эффективность, темновой ток, лидар
Открыть полный текст статьи